創(chuàng)業(yè)敬業(yè)年度人物盛況：科研成果世人矚目 歸國效力自主創(chuàng)新
發(fā)布時間：2017-07-31 15:05:31
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盛況，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院副院長，應(yīng)用電子學(xué)系系主任，浙江大學(xué)求是特聘教授，教育部長江學(xué)者，國家杰出青年科學(xué)基金獲得者，入選“萬人計劃”科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才，科技部863計劃主題專家，主要從事新能源領(lǐng)域的電力電子器件、集成電路及其應(yīng)用的研究。
他海外求學(xué)攀科技高峰。畢業(yè)于浙江大學(xué)電力電子專業(yè)的盛況于1995年赴海外求學(xué)，在英國赫利-瓦特大學(xué)完成博士學(xué)業(yè)后，到劍橋大學(xué)工程學(xué)系從事了幾年博士后的研究工作，后在美國新澤西州立大學(xué)任教7年，獲“終身教職”。在此期間，他致力于電力電子技術(shù)的研究工作，承擔(dān)了美國國家科學(xué)基金、美國國家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院等多項科研和產(chǎn)業(yè)化項目，取得了一系列國際領(lǐng)先的研究成果，長期處于美國研發(fā)功率芯片技術(shù)的前沿。他主要參與研發(fā)了第一個CMOS兼容的電力電子集成電路技術(shù)，研究成果的產(chǎn)業(yè)化孵化了的高科技公司。在國際上首次發(fā)起了碳化硅電力電子集成電路的研究，領(lǐng)導(dǎo)團隊成功研發(fā)出具有里程碑意義的世界上第一塊碳化硅電力電子集成電路芯片。成功研發(fā)出世界特性指數(shù)最高的碳化硅平面型功率器件，至今仍保持這一記錄。提出的關(guān)于電力電子器件的模型被收入國際經(jīng)典的教科書。
他歸國效力勇創(chuàng)科技新高。2009年，盛況放棄了海外的職位，以教育部長江學(xué)者的身份，擔(dān)任浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院特聘教授。這是當(dāng)年浙江大學(xué)最年輕的長江學(xué)者，也是我國電力電子領(lǐng)域第一位長江學(xué)者。2010年，他入選浙江省特聘專家，浙江省自然科學(xué)基金杰出青年基金。2012年入選科技部先進能源領(lǐng)域863計劃“新型電力電子技術(shù)”主題的專家組召集人和國家杰出青年科學(xué)基金，是我國電力電子領(lǐng)域首位國家杰出青年基金項目獲得者。2013年獲評中組部首批萬人計劃科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才。他參與起草了我國工信部、發(fā)改委的“十二五”電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，積極參與科技部高新司863計劃電力電子主題方向的發(fā)展規(guī)劃和建議，推動國家科技部、發(fā)改委和重大央企等的電力電子器件項目，取得一系列成果。如作為項目首席專家主持了我國在下一代寬禁帶電力電子器件領(lǐng)域第一個國家級大型科研項目，成功研制了容量水平較為領(lǐng)先的碳化硅器件，顯著提高了我國在該方向的研發(fā)水平。
他埋首科研引領(lǐng)自主創(chuàng)新。回國后，盛況率領(lǐng)團隊主要研究一種用碳化硅材料制作功率半導(dǎo)體芯片的技術(shù)。2011年，浙江大學(xué)蘇州工業(yè)技術(shù)研究院揭牌，盛況在那里擁有了一個具備研發(fā)碳化硅芯片能力的超凈實驗室。實驗室來之不易，在資金籌集、規(guī)劃布局、設(shè)備采購等方面，盛況都要親力親為，因此分散了很多精力，一定程度影響了那兩年在科研上進展。有人為他不值：你正處于科研的黃金年齡，兩年耽誤不得，還是回美國吧，那里有現(xiàn)成的一流設(shè)備。可是盛況說：耽誤的時間可以補回來，國家在這方面的芯片技術(shù)研發(fā)更重要。于是，盛況一頭扎進實驗室，有時一連幾天幾夜都不出來。芯片的研發(fā)是一個非常復(fù)雜的過程，每一種設(shè)計方法和實驗路徑都可能遇到障礙，有時走進死胡同了，得從頭再來。這些在常人看來枯燥的工作，幾乎構(gòu)成了盛況生活的全部。幾年下來，盛況和他的團隊“拼”出了成果，大幅度縮小了與國際領(lǐng)先芯片技術(shù)的差距。更讓盛況欣喜的是，他們探索出進一步顯著提高第三代核心芯片性能的新方法，在國際權(quán)威的行業(yè)會議上進行宣講。2015年，盛況擔(dān)任國際電力電子器件領(lǐng)域最權(quán)威的會議（ISPSD）的技術(shù)委員會主席，并于2016年成功爭取了該會議2019年的舉辦權(quán)，這將是該會議三十多年的歷史上首次由中國內(nèi)地舉辦，標(biāo)志著我國電力電子器件的研發(fā)和行業(yè)得到國際承認(rèn)。
他海外求學(xué)攀科技高峰。畢業(yè)于浙江大學(xué)電力電子專業(yè)的盛況于1995年赴海外求學(xué)，在英國赫利-瓦特大學(xué)完成博士學(xué)業(yè)后，到劍橋大學(xué)工程學(xué)系從事了幾年博士后的研究工作，后在美國新澤西州立大學(xué)任教7年，獲“終身教職”。在此期間，他致力于電力電子技術(shù)的研究工作，承擔(dān)了美國國家科學(xué)基金、美國國家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院等多項科研和產(chǎn)業(yè)化項目，取得了一系列國際領(lǐng)先的研究成果，長期處于美國研發(fā)功率芯片技術(shù)的前沿。他主要參與研發(fā)了第一個CMOS兼容的電力電子集成電路技術(shù)，研究成果的產(chǎn)業(yè)化孵化了的高科技公司。在國際上首次發(fā)起了碳化硅電力電子集成電路的研究，領(lǐng)導(dǎo)團隊成功研發(fā)出具有里程碑意義的世界上第一塊碳化硅電力電子集成電路芯片。成功研發(fā)出世界特性指數(shù)最高的碳化硅平面型功率器件，至今仍保持這一記錄。提出的關(guān)于電力電子器件的模型被收入國際經(jīng)典的教科書。
他歸國效力勇創(chuàng)科技新高。2009年，盛況放棄了海外的職位，以教育部長江學(xué)者的身份，擔(dān)任浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院特聘教授。這是當(dāng)年浙江大學(xué)最年輕的長江學(xué)者，也是我國電力電子領(lǐng)域第一位長江學(xué)者。2010年，他入選浙江省特聘專家，浙江省自然科學(xué)基金杰出青年基金。2012年入選科技部先進能源領(lǐng)域863計劃“新型電力電子技術(shù)”主題的專家組召集人和國家杰出青年科學(xué)基金，是我國電力電子領(lǐng)域首位國家杰出青年基金項目獲得者。2013年獲評中組部首批萬人計劃科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才。他參與起草了我國工信部、發(fā)改委的“十二五”電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，積極參與科技部高新司863計劃電力電子主題方向的發(fā)展規(guī)劃和建議，推動國家科技部、發(fā)改委和重大央企等的電力電子器件項目，取得一系列成果。如作為項目首席專家主持了我國在下一代寬禁帶電力電子器件領(lǐng)域第一個國家級大型科研項目，成功研制了容量水平較為領(lǐng)先的碳化硅器件，顯著提高了我國在該方向的研發(fā)水平。
他埋首科研引領(lǐng)自主創(chuàng)新。回國后，盛況率領(lǐng)團隊主要研究一種用碳化硅材料制作功率半導(dǎo)體芯片的技術(shù)。2011年，浙江大學(xué)蘇州工業(yè)技術(shù)研究院揭牌，盛況在那里擁有了一個具備研發(fā)碳化硅芯片能力的超凈實驗室。實驗室來之不易，在資金籌集、規(guī)劃布局、設(shè)備采購等方面，盛況都要親力親為，因此分散了很多精力，一定程度影響了那兩年在科研上進展。有人為他不值：你正處于科研的黃金年齡，兩年耽誤不得，還是回美國吧，那里有現(xiàn)成的一流設(shè)備。可是盛況說：耽誤的時間可以補回來，國家在這方面的芯片技術(shù)研發(fā)更重要。于是，盛況一頭扎進實驗室，有時一連幾天幾夜都不出來。芯片的研發(fā)是一個非常復(fù)雜的過程，每一種設(shè)計方法和實驗路徑都可能遇到障礙，有時走進死胡同了，得從頭再來。這些在常人看來枯燥的工作，幾乎構(gòu)成了盛況生活的全部。幾年下來，盛況和他的團隊“拼”出了成果，大幅度縮小了與國際領(lǐng)先芯片技術(shù)的差距。更讓盛況欣喜的是，他們探索出進一步顯著提高第三代核心芯片性能的新方法，在國際權(quán)威的行業(yè)會議上進行宣講。2015年，盛況擔(dān)任國際電力電子器件領(lǐng)域最權(quán)威的會議（ISPSD）的技術(shù)委員會主席，并于2016年成功爭取了該會議2019年的舉辦權(quán)，這將是該會議三十多年的歷史上首次由中國內(nèi)地舉辦，標(biāo)志著我國電力電子器件的研發(fā)和行業(yè)得到國際承認(rèn)。
